လွန်ခဲ့သည့်ဆယ်စုနှစ်အနည်းငယ်အတွင်း၊ သွားဘက်ဆိုင်ရာ အစားထိုးထည့်သွင်းခြင်းဆိုင်ရာ ဒီဇိုင်းနှင့် အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ သုတေသနပြုမှုသည် ကြီးစွာသောတိုးတက်မှုကို ရရှိခဲ့သည်။ဤတိုးတက်မှုများသည် 10 နှစ်ကျော်အတွင်း သွားနှင့်ခံတွင်း အစားထိုးခြင်းများ၏ အောင်မြင်မှုနှုန်းကို 95% ထက် ပိုစေခဲ့သည်။ထို့ကြောင့် implant implantation သည် သွားဆုံးရှုံးမှုကို ပြုပြင်ရန် အလွန်အောင်မြင်သော နည်းလမ်းတစ်ခု ဖြစ်လာခဲ့သည်။ကမ္ဘာပေါ်တွင် သွားနှင့်ခံတွင်း အစားထိုးခြင်း ကျယ်ပြန့်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ လူများသည် implant implantation နှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနည်းလမ်းများ တိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေရန် အာရုံစိုက်လာကြသည်။လက်ရှိတွင်၊ လေဆာသည် implant implantation၊ prosthesis တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် implants အနီးတစ်ဝိုက်ရှိတစ်ရှူးများ၏ကူးစက်မှုကိုထိန်းချုပ်ခြင်းတွင်တက်ကြွသောအခန်းကဏ္ဍမှလုပ်ဆောင်နိုင်ကြောင်းသက်သေပြခဲ့သည်။မတူညီသော လှိုင်းအလျားလေဆာများသည် ထူးခြားသောဝိသေသလက္ခဏာများ ရှိသည်၊ ၎င်းသည် ဆရာဝန်များအား implant ကုသမှု၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကို တိုးတက်စေပြီး လူနာများ၏အတွေ့အကြုံကို တိုးတက်စေပါသည်။
Diode laser assisted implant ကုထုံးသည် ခွဲစိတ်မှုအတွင်း သွေးထွက်ခြင်းကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ကောင်းမွန်သော ခွဲစိတ်မှုနယ်ပယ်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး ခွဲစိတ်မှု၏ကြာချိန်ကို လျှော့ချနိုင်သည်။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ လေဆာသည် ခွဲစိတ်နေစဉ်နှင့် အပြီးတွင် ကောင်းမွန်သော ပိုးမွှားပတ်ဝန်းကျင်ကို ဖန်တီးနိုင်ပြီး ခွဲစိတ်ပြီးနောက် ရှုပ်ထွေးမှုများနှင့် ရောဂါပိုးများ ဖြစ်ပွားမှုကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးနိုင်သည်။
Diode လေဆာ၏ ဘုံလှိုင်းအလျားများမှာ 810nm၊ 940nm၊980nmနှင့် 1064nm ။ဤလေဆာရောင်ခြည်များ၏ စွမ်းအင်သည် အဓိကအားဖြင့် ဟေမိုဂလိုဘင်နှင့် မီလန်နင်ကဲ့သို့သော ဆိုးဆေးများကို ပစ်မှတ်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ပျော့ပျောင်းသောတစ်ရှူးများ.Diode လေဆာ၏ စွမ်းအင်သည် အဓိကအားဖြင့် optical fiber မှတဆင့် ကူးစက်ပြီး contact mode တွင် လုပ်ဆောင်သည်။လေဆာ၏လည်ပတ်မှုအတွင်း၊ ဖိုက်ဘာထိပ်ဖျား၏အပူချိန်သည် 500 ℃ ~ 800 ℃အထိရောက်ရှိနိုင်သည်။အပူကို တစ်သျှူးသို့ ထိရောက်စွာ လွှဲပြောင်းနိုင်ပြီး တစ်ရှူးကို အငွေ့ပြန်ခြင်းဖြင့် ဖြတ်တောက်နိုင်သည်။တစ်ရှူးသည် အပူထုတ်ပေးသည့် အလုပ်ထိပ်ဖျားနှင့် တိုက်ရိုက်ထိတွေ့နေပြီး လေဆာကိုယ်တိုင်၏ အလင်းဓာတ်လက္ခဏာများကို အသုံးပြုမည့်အစား အငွေ့ပြန်ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု ဖြစ်ပေါ်သည်။980 nm လှိုင်းအလျား diode လေဆာသည် 810 nm လှိုင်းအလျားလေဆာထက် ရေအတွက် စုပ်ယူမှုပိုမိုမြင့်မားသည်။ဤအင်္ဂါရပ်သည် 980nm diode လေဆာကို စိုက်ပျိုးအသုံးချမှုတွင် ပိုမိုလုံခြုံပြီး ထိရောက်စေသည်။အလင်းလှိုင်းစုပ်ယူမှုသည် နှစ်လိုဖွယ်အကောင်းဆုံး လေဆာတစ်ရှူး အပြန်အလှန်အကျိုးသက်ရောက်မှု၊တစ်ရှူးမှ စုပ်ယူနိုင်သော စွမ်းအင် ပိုမိုကောင်းမွန်လေ၊ အနီးနားရှိ အပူဒဏ်ကြောင့် ထိခိုက်မှု နည်းပါးလေဖြစ်သည်။Romanos ၏ သုတေသနပြုချက်အရ 980nm diode လေဆာကို ပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းအင်ချိန်ညှိမှုတွင်ပင် implant မျက်နှာပြင်အနီးတွင် ဘေးကင်းစွာ အသုံးပြုနိုင်ကြောင်း ပြသထားသည်။လေ့လာမှုများအရ 810nm diode လေဆာသည် implant မျက်နှာပြင်၏ အပူချိန်ကို ပိုမိုသိသာထင်ရှားစွာ တိုးမြင့်စေနိုင်ကြောင်း အတည်ပြုခဲ့သည်။810nm လေဆာသည် စိုက်ထားသော မျက်နှာပြင်တည်ဆောက်ပုံကို ပျက်စီးစေနိုင်ကြောင်း Romanos မှ ဖော်ပြခဲ့သည်။940nm diode လေဆာကို implant ကုထုံးတွင် အသုံးမပြုပါ။ဤအခန်းတွင် ဆွေးနွေးထားသော ရည်ရွယ်ချက်များအပေါ် အခြေခံ၍ 980nm diode လေဆာသည် implant ကုထုံးတွင် အသုံးချရန်အတွက် ထည့်သွင်းစဉ်းစားနိုင်သော တစ်ခုတည်းသော diode လေဆာဖြစ်သည်။
စကားလုံးတစ်လုံးတွင် 980nm diode လေဆာကို အချို့သော implant ကုသမှုများတွင် ဘေးကင်းစွာအသုံးပြုနိုင်သော်လည်း ၎င်း၏ဖြတ်တောက်ခြင်းအတိမ်အနက်၊ ဖြတ်တောက်ခြင်းအမြန်နှုန်းနှင့် ဖြတ်တောက်ခြင်းထိရောက်မှုတို့မှာ အကန့်အသတ်ရှိပါသည်။Diode လေဆာ၏အဓိကအားသာချက်မှာ၎င်း၏သေးငယ်သောအရွယ်အစားနှင့်စျေးနှုန်းနှင့်ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည်။
စာတင်ချိန်- မေလ ၁၀-၂၀၂၃